介電常數介質損耗測定儀

介電常數介質損耗測定儀工作特性

   1．Q值測量

  a．Q值測量范圍：2～1023；

  b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；

c．標稱誤差

   2．電感測量范圍

3．電容測量

   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。

   4．信號源頻率覆蓋范圍

  5．Q合格指示預置功能：預置范圍：5～1000

   6．Q表正常工作條件

   a. 環境溫度：0℃～+40℃；

  b．相對濕度：<80％；

  c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

   7．其他

  a．消耗功率：約25W；

   b．凈重：約7kg；

   c.外型尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280。

主電容調節用步進馬達控制，電容讀數更加精確,頻率值和電容值均可設置。A/C電容、電感、Q值、頻率、量程都用數字顯示，在某一頻率下，只要能找到諧振點，都能直接讀出電感、電容值，大大擴展了電感的測量范圍，而不再是固定的幾個頻率下才能測出電感值的大小。A/C*的諧振點頻率自動搜索或電容自動搜索功能，能幫助你在使用時快速地找到被測量器件的諧振點，自動讀出Q值和其它參數。Q值量程可手動或自動轉換。

介電常數介質損耗測定儀使用方法

高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器，為了提高測量精度，除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測試方法和殘余參數修正方法。

1．測試注意事項

a．本儀器應水平安放；

b．如果你需要較精確地測量，請接通電源后，預熱30分鐘；

c．調節主調電容或主調電容數碼開關時，當接近諧振點時請緩調；

d．被測件和測試電路接線柱間的接線應盡量短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以減少因接線的電阻和分布參數所帶來的測量誤差；

e．被測件不要直接擱在面板頂部，離頂部一公分以上，必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊；

f．手不得靠近試件，以免人體感應影響造成測量誤差，有屏蔽的試件，屏蔽罩應連接在低電位端的接線柱。

2．高頻線圈的Q值測量（基本測量法）

儀器技術指標：
☆Q值測量：
a．Q值測量范圍：5～999。 b．Q值量程分檔：30、100、300、999、自動換檔。
c．標稱誤差
頻率范圍：25kHz～10MHz； 固有誤差：≤5％±滿度值的2％；工作誤差：≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍：10MHz～50MHz； 固有誤差：≤7％±滿度值的2％；工作誤差：≤10％±滿度值的2％。
☆電感測量：
a．測量范圍：0.1μH～1H。
b．分 檔：分七個量程。
0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH， 
0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。
☆電容測量：
a．測量范圍：1～460pF(460pF以上的電容測量見使用規則)；
b．電容量調節范圍
主調電容器：40～500pF； 準 確 度：150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％；
微調電容量：－3pF～0～＋3pF； 準 確 度：±0.2pF。
☆振蕩頻率：
a．振蕩頻率范圍：25kHz～50MHz；
b．頻率分檔
25～74kHz， 74～213kHz， 213-700kHz， 700kHz～1.95MHz，
1.95MHz～5.2MHz， 5.2MHz～17MHz， 17～50MHz。
c．頻率誤差：2×10-4±1個字。
☆Q合格指示預置功能，預置范圍：5～999。
☆儀器正常工作條件
a. 環境溫度：0℃～+40℃； b．相對濕度：<80％； c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。 
☆試樣尺寸
圓片形：厚度2+0.5mm，直徑為Φ30~40mm（ε<12時），Φ25~35mm（ε=12~30時），Φ15~20mm（ε>30時）
☆其他
a．消耗功率：約25W； b．凈重：約7kg； c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
☆ Q合格指示預置功能
預置范圍：5～1000。

主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環氧樹脂組成的, 玻纖介電常數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 

◇主要技術特性：介質損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質，通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(ε)，可進一步了解影響介質損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制，測量核心采用了頻率數字鎖定，標準頻率測試點自動設定，諧振點自動搜索，Q值量程自動轉換，數值顯示等新技術，改進了調諧回路，使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動穩幅等技術，使得新儀器在使用時更為方便，測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。

儀器特點：
☆接線簡單（正接法兩根線，反接可使用一根線），所有電纜線均有接地屏蔽，所以都能拖地使用，測量電壓緩升、緩降，全自動測量，結果直讀，無須換算。
☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內/外標準電容器和內/外試驗電壓進行測量。正接線可測量高壓介損。
☆ 抗震性能 儀器可承受長途運輸中強烈震動顛簸而不會損壞。
☆ 抗干擾能力強 采用自動跟蹤干擾抵償電路，將矢量運算法與移相法結合，有效地消除強電場干擾對測量的影響，適用于500kV及其以下電站的現場試驗。
☆CVT測量 *自激法測量CVT功能，不需外加任何設備，可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線（三根電纜，不用倒線），一個測量過程（大約1分鐘），兩個zui終測量結果（C1和C2的介損及電容值）。測量過程中文顯示，能實時監測自激電流值和試驗電壓（高壓）值。能消除引線對測試的影響，測量結果準確可靠。
☆ 安全措施（1）高壓保護：試品短路、擊穿或高壓電流波動，能迅速切斷高壓輸出。
（2）CVT保護：設定自激電壓的過流點，一旦超出設置的電流值，儀器自動退出測量，不會損壞設備。
（3）接地檢測：儀器有接地檢測功能，未接地時不能升壓測量。
（4）防誤操作：具備防誤操作設計，能判別常見接線錯誤，安全報警。
（5）防“容升"：測量大容量試品時會出現電壓抬高的“容升"效應，儀器能自動跟蹤輸出電壓，保持試驗電壓恒定。
☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點陣顯示器，在嚴冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單，操作提示各種警告信息，直觀明了，不需查閱說明書即可操作。

特點： 

◎ 本公司創新的自動Q值保持技術，使測Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數：Q值，測試頻率，調諧狀態等。

◎ Q值量程自動/手動量程控制。

◎ DPLL合成發生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測試信號。獨立信號   源輸出口，所以本機又是一臺合成信號源。

◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。

電感器：

按測試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測試頻率時，要配250μH電感器，在50MHz測試頻率時，要配0.1μH電感器等。

高頻介質樣品（選購件）：
在現行高頻介質材料檢定系統中，檢定部門為高頻介質損耗測量儀提供的測量標準是高頻標準介質樣品。

該樣品由人工藍寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復性和準確性。

工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。

本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。

絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過公式計算得到。

同樣，由測微圓筒線性電容器的電容量讀數變化，通過公式計算得到介電常數。

裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

主要技術指標：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測試。

2.1.2 tanδ和ε測量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數顯，壓控振蕩器

Q值測量范圍：1～1000三位數顯，±1Q分辨率

可調電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH