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            介電常數(shù)與介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀

            型 號(hào)GDAT-A

            更新時(shí)間2024-11-21

            廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

            報(bào)價(jià)

            產(chǎn)品描述:介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:
            2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
            2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
            2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
            2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
            2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
            2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-

            產(chǎn)品概述

             介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn): 

            ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測(cè)Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。

            ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

            ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

            ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測(cè)試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。

            ◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

            ◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口,所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

            ◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

             

            介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器:

            按測(cè)試頻率要求,需要配置不同量的電感器。

            例如:在1MHz測(cè)試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測(cè)試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。

             

            高頻介質(zhì)樣品(選購(gòu)件):
            在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

            該樣品由人工藍(lán)寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測(cè)試樣品。用戶(hù)可按需訂購(gòu),以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

             

             

             介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo):

             

            2.1 tanδ和ε性能:

            2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

            2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍:

            tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50

            2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度(1MHz):

            tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%

            工作頻率范圍:50kHz~50MHz    四位數(shù)顯,壓控振蕩器

            Q值測(cè)量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率

            可調(diào)電容范圍:40~500 pF  ΔC±3pF

            電容測(cè)量誤差:±1%±1pF

            Q表殘余電感值:約20nH

             

             

             

            介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置:

            2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
            2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
            2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
            2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍:±12.5mm(±4.2pF)
            2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
            2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

             

             

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